物理学报2022，Vol.71Issue(21)：283-292,10.DOI:10.7498/aps.71.20221154
ReSe2/WSe2记忆晶体管的光电调控和阻变特性
Photoelectric modulation and resistive switching characteristic of ReSe2/WSe2 memtransistor
摘要
关键词
ReSe2/WSe2/记忆晶体管/栅控/光控引用本文复制引用
余雪玲,陈凤翔,相韬,邓文,刘嘉宁,汪礼胜..ReSe2/WSe2记忆晶体管的光电调控和阻变特性[J].物理学报,2022,71(21):283-292,10.基金项目
国家自然科学基金(批准号:51702245)、国家重点研发计划(批准号:2018YFE0111500,2019YFA0704900)、材料合成与加工先进技术国家重点实验室开放基金(武汉理工大学)(批准号:2021-KF-16)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:WUT2021III065JC)资助的课题. （批准号:51702245）
