人工晶体学报2022，Vol.51Issue(11)：P.1973-1982,10.
碳化硅单晶位错研究进展
张家鑫 1彭燕 1陈秀芳 1谢雪健 1杨祥龙 1胡小波 1徐现刚1
作者信息
- 1. 山东大学新一代半导体材料研究院,济南250100
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摘要
关键词
SiC/位错/位错形成原因/位错检测技术/位错密度降低方法/位错密度优化水平分类
数理科学引用本文复制引用
张家鑫,彭燕,陈秀芳,谢雪健,杨祥龙,胡小波,徐现刚..碳化硅单晶位错研究进展[J].人工晶体学报,2022,51(11):P.1973-1982,10.
