首页|期刊导航|人工晶体学报|利用Al/AlAs中间层调控GaAs在Si(111)上外延生长的研究

利用Al/AlAs中间层调控GaAs在Si(111)上外延生长的研究

常梦琳樊星张微微姚金山潘睿李晨芦红

人工晶体学报2022，Vol.51Issue(11)：P.1815-1822,8.

常梦琳 ¹樊星 ¹张微微 ¹姚金山 ¹潘睿 ¹李晨 ²芦红²

作者信息

1. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093 南京大学现代工程与应用科学学院,南京210023
2. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京210093 南京大学现代工程与应用科学学院,南京210023 江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室,南京210023
折叠

分子束外延/Ⅲ-V族半导体/硅基砷化镓/异质外延/硅基集成

数理科学

常梦琳,樊星,张微微,姚金山,潘睿,李晨,芦红..利用Al/AlAs中间层调控GaAs在Si(111)上外延生长的研究[J].人工晶体学报,2022,51(11):P.1815-1822,8.

国家重点研发计划(2018YFA0306200,2017YFA0303702) （2018YFA0306200,2017YFA0303702）

国家自然科学基金(51732006,11890702,51721001)。（51732006,11890702,51721001）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-985X

访问量0

下载量0

段落导航