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一种CMOS工艺兼容的高效氮化硅表面光栅耦合器

韩风阳 王凌华 张雅珍 黄继伟

光通信技术2022,Vol.46Issue(6):P.6-9,4.
光通信技术2022,Vol.46Issue(6):P.6-9,4.

一种CMOS工艺兼容的高效氮化硅表面光栅耦合器

韩风阳 1王凌华 1张雅珍 1黄继伟1

作者信息

  • 1. 福州大学物理与信息工程学院,福州350108
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摘要

关键词

表面光栅耦合器/耦合效率/集成光子器件/光学设计与制造

分类

数理科学

引用本文复制引用

韩风阳,王凌华,张雅珍,黄继伟..一种CMOS工艺兼容的高效氮化硅表面光栅耦合器[J].光通信技术,2022,46(6):P.6-9,4.

基金项目

国家自然科学基金项目(61405198)资助 (61405198)

福建省教育厅项目(JAT190012)资助 (JAT190012)

福建省自然科学基金项目(2020J01467)资助。 (2020J01467)

光通信技术

1002-5561

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