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基于Si IGBT和SiC MOSFET的飞跨电容MMC拓扑及其调制策略

井开源 林磊 殷天翔 黄强

高电压技术2022，Vol.48Issue(10)：P.4060-4071,12.
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高电压技术2022，Vol.48Issue(10)：P.4060-4071,12.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20210777

基于Si IGBT和SiC MOSFET的飞跨电容MMC拓扑及其调制策略

井开源 1林磊 1殷天翔 1黄强1

作者信息

  • 1. 华中科技大学电气与电子工程学院强电磁工程与新技术国家重点实验室,武汉430074
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摘要

关键词

FC-MMC/混合器件拓扑/改进调制策略/SiC MOSFET/Si IGBT/损耗优化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

井开源,林磊,殷天翔,黄强..基于Si IGBT和SiC MOSFET的飞跨电容MMC拓扑及其调制策略[J].高电压技术,2022,48(10):P.4060-4071,12.

基金项目

国家自然科学基金(51977093) （51977093）

湖北省自然科学基金(2019CFA049)。 （2019CFA049）

高电压技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1003-6520

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