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密度泛函理论研究ZnGeP_(2)晶体中缺陷的稳定性及迁移机制

马天慧 雷作涛 张晓萌 付秋月 布和巴特尔 朱崇强 杨春晖

物理学报2022,Vol.71Issue(22):P.249-258,10.
物理学报2022,Vol.71Issue(22):P.249-258,10.DOI:10.7498/aps.71.20220610

密度泛函理论研究ZnGeP_(2)晶体中缺陷的稳定性及迁移机制

马天慧 1雷作涛 2张晓萌 1付秋月 1布和巴特尔 1朱崇强 2杨春晖2

作者信息

  • 1. 黑龙江工程学院材料与化学工程学院,哈尔滨150050
  • 2. 哈尔滨工业大学化工与化学学院,哈尔滨150001
  • 折叠

摘要

关键词

缺陷结构/光学性能/ZnGeP_(2)/中远红外晶体

分类

化学化工

引用本文复制引用

马天慧,雷作涛,张晓萌,付秋月,布和巴特尔,朱崇强,杨春晖..密度泛函理论研究ZnGeP_(2)晶体中缺陷的稳定性及迁移机制[J].物理学报,2022,71(22):P.249-258,10.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:52172002) (批准号:52172002)

黑龙江省科学基金项目(批准号:LH2019E079,YQ2020B002) (批准号:LH2019E079,YQ2020B002)

黑龙江省省属高等学校基本科研业务费科研项目(批准号:2021GJ03) (批准号:2021GJ03)

中央支持地方高校改革发展资金人才培养项目(批准号:2021GSP13) (批准号:2021GSP13)

黑龙江省重点研发计划指导类项目(批准号:GZ20210140)资助的课题。 (批准号:GZ20210140)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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