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基于CMOS工艺的综合射频P波段变频发射芯片设计

张萌 王竣 李烁星 胡彦胜

电子器件2022,Vol.45Issue(5):P.1032-1038,7.
电子器件2022,Vol.45Issue(5):P.1032-1038,7.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2022.05.002

基于CMOS工艺的综合射频P波段变频发射芯片设计

张萌 1王竣 2李烁星 1胡彦胜1

作者信息

  • 1. 航天科工通信技术研究院有限责任公司,成都610051 东南大学航天科工通信技术研究院量子信息与通信联合研究中心,江苏南京211100
  • 2. 成都航天通信设备有限责任公司,成都610051
  • 折叠

摘要

关键词

CMOS芯片/P波段/发射变频/射频综合

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张萌,王竣,李烁星,胡彦胜..基于CMOS工艺的综合射频P波段变频发射芯片设计[J].电子器件,2022,45(5):P.1032-1038,7.

基金项目

四川省科技计划项目 ()

中国航天科工集团有限公司自主创新基金项目 ()

成都市蓉漂计划项目。 ()

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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