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常温C^(4+)辐照对多晶HIP-SiC力学性能的影响

易柏全 刘旭东 郝祖龙

原子能科学技术2022,Vol.56Issue(12):P.2601-2606,6.
原子能科学技术2022,Vol.56Issue(12):P.2601-2606,6.DOI:10.7538/yzk.2021.youxian.0908

常温C^(4+)辐照对多晶HIP-SiC力学性能的影响

易柏全 1刘旭东 1郝祖龙1

作者信息

  • 1. 华北电力大学非能动核能安全技术北京市重点实验室,北京102206
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摘要

关键词

耐事故燃料包壳/HIP-SiC/离子辐照/性能表征

分类

能源科技

引用本文复制引用

易柏全,刘旭东,郝祖龙..常温C^(4+)辐照对多晶HIP-SiC力学性能的影响[J].原子能科学技术,2022,56(12):P.2601-2606,6.

基金项目

北京市自然科学基金(1192016) (1192016)

中央高校基本科研业务费专项资金(2020MS031)。 (2020MS031)

原子能科学技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6931

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