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碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应

刘翠翠 陈启明 郭刚 李治明 殷倩 张艳文 刘建成 韩金华 张峥 张付强

同位素2022，Vol.35Issue(6)：449-459,11.
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同位素2022，Vol.35Issue(6)：449-459,11.DOI:10.7538/tws.2022.35.06.0449

碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应

Proton Radiation Effect of Silicon Carbide Junction Barrier Schottky Diode

刘翠翠 1陈启明 1郭刚 1李治明 2殷倩 1张艳文 1刘建成 1韩金华 1张峥 1张付强1

作者信息

  • 1. 中国原子能科学研究院 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心 ,北京 102413
  • 2. 兰州大学 核科学与技术学院 ,甘肃 兰州 730000
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摘要

关键词

碳化硅结势垒肖特基二极管/质子辐射效应/退化规律/效应机理

分类

能源科技

引用本文复制引用

刘翠翠,陈启明,郭刚,李治明,殷倩,张艳文,刘建成,韩金华,张峥,张付强..碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应[J].同位素,2022,35(6):449-459,11.

基金项目

中核集团"青年英才"科研项目(11FY212306000801) （11FY212306000801）

同位素

OACSTPCD

1000-7512

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