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一种适用于氮化镓半桥结构的高可靠性差分电流补偿电平移位电路OA北大核心

A High-Reliability Differential Current Compensation Level Shift Circuit for GaN Half-Bridge

中文摘要

为了提高氮化镓半桥结构的抗dv/dt特性,提出了一种适用于氮化镓半桥结构的高可靠性差分电流补偿新颖电平移位电路.该电路在自举电容作用下,将0V~5V输入电压转换为35V~40V输出电压,并且在浮点电压快速变化过程中,输出的驱动电压均保持稳定.电路采用电流镜结构传输信号,能够实现电平信号的快速传递,有效地减小传输延迟.对于浮点电压的快速变化导致移位电平器输出变化的问题,采用新颖的差分电流结构进行电流补偿,提高电路的抗dv/dt特性,获得高可靠性的输出电压.本电路基于标准0.35μm BCD工艺40 V的LDMOS耐压器件,对该电平移位电路在1 MHz频率下进行验证.结果表明上升沿响应延迟为587.184 ps,下降沿响应延迟为832.144 ps,抗正的dv/dt变化为116 V/ns以及对负dv/dt变化不敏感,该电路具有高速,高可靠性优点.

赵鹏;姜梅

深圳大学电子与信息工程学院,广东深圳518061深圳大学电子与信息工程学院,广东深圳518061

信息技术与安全科学

氮化镓电平移位电流补偿半桥结构自举电容降压式变换电路

《电子学报》 2022 (11)

2561-2567,7

广东省重点科技产业质量基础共性技术研究及应用(No.2020B0404030004)

10.12263/DZXB.20210827

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