电子学报2022，Vol.50Issue(11)：2653-2658,6.DOI:10.12263/DZXB.20211691
28 nm CMOS工艺8-Gbps SerDes单粒子辐射特性研究
Research on Single-Event Radiation Characteristics of an 8-Gbps SerDes in a 28 nm CMOS Technology
摘要
关键词
串转并/并转串接口/单粒子效应/双指数电流源仿真/敏感节点/脉冲激光测试分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
文溢,陈建军,梁斌,池雅庆,黄俊..28 nm CMOS工艺8-Gbps SerDes单粒子辐射特性研究[J].电子学报,2022,50(11):2653-2658,6.基金项目
国家自然科学基金(No.61974163) （No.61974163）
国防科技大学高层次创新人才培训计划项目(No.4142D125106,No.434517212306) （No.4142D125106,No.434517212306）
