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基于不同位置掺硼直拉单晶硅片的PERC电池的原位光衰及电注入复原

丁思琪 覃诚 杨宸 艾斌

中山大学学报(自然科学版)(中英文)2023,Vol.62Issue(1):115-123,9.
中山大学学报(自然科学版)(中英文)2023,Vol.62Issue(1):115-123,9.DOI:10.13471/j.cnki.acta.snus.2022B048

基于不同位置掺硼直拉单晶硅片的PERC电池的原位光衰及电注入复原

In-situ LID and electrical-injection regeneration of PERC solar cells made from different positions of a boron-doped Cz-Si ingot

丁思琪 1覃诚 1杨宸 1艾斌1

作者信息

  • 1. 中山大学材料科学与工程学院/广东省光伏技术重点实验室,广东广州510006
  • 折叠

摘要

关键词

PERC电池/光致衰减/电注入复原/B-O缺陷

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

丁思琪,覃诚,杨宸,艾斌..基于不同位置掺硼直拉单晶硅片的PERC电池的原位光衰及电注入复原[J].中山大学学报(自然科学版)(中英文),2023,62(1):115-123,9.

基金项目

国家自然科学基金(61774171) (61774171)

中山大学学报(自然科学版)(中英文)

OA北大核心CSCDCSTPCD

0529-6579

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