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沉积温度和氢气浓度对CVD法合成Ti3SiC2涂层的影响

朱界 茅思佳 刘瑶瑶 王梦千 李爱军 彭雨晴

材料科学与工程学报2022,Vol.40Issue(6):961-968,8.
材料科学与工程学报2022,Vol.40Issue(6):961-968,8.DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2022.06.008

沉积温度和氢气浓度对CVD法合成Ti3SiC2涂层的影响

Effects of Deposition Temperature and Hydrogen Concentration on the Synthesis of Ti3SiC2 Coatings

朱界 1茅思佳 1刘瑶瑶 1王梦千 1李爱军 1彭雨晴1

作者信息

  • 1. 上海大学材料科学与工程学院材料所,上海 200444
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摘要

关键词

CVD/Ti3SiC2涂层/沉积温度/氢气浓度/前驱体反应路径

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

朱界,茅思佳,刘瑶瑶,王梦千,李爱军,彭雨晴..沉积温度和氢气浓度对CVD法合成Ti3SiC2涂层的影响[J].材料科学与工程学报,2022,40(6):961-968,8.

基金项目

国家自然基金资助项目(21676163) (21676163)

上海市自然基金资助项目(20ZR1419600) (20ZR1419600)

材料科学与工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1673-2812

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