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碲镉汞APD焦平面技术研究

李雄军 孔金丞 赵俊 姬荣斌 张应旭 陈虓 李立华 赵鹏 杨振宇 杨东 姜炜波 杨鹏伟

红外与毫米波学报2022,Vol.41Issue(6):965-971,7.
红外与毫米波学报2022,Vol.41Issue(6):965-971,7.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.06.004

碲镉汞APD焦平面技术研究

Study on HgCdTe APD focal plane technology

李雄军 1孔金丞 1赵俊 1姬荣斌 1张应旭 1陈虓 1李立华 1赵鹏 1杨振宇 2杨东 1姜炜波 1杨鹏伟1

作者信息

  • 1. 昆明物理研究所,云南昆明650223
  • 2. 华中科技大学,湖北武汉430074
  • 折叠

摘要

关键词

碲镉汞/APD/增益/暗电流/过噪因子

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李雄军,孔金丞,赵俊,姬荣斌,张应旭,陈虓,李立华,赵鹏,杨振宇,杨东,姜炜波,杨鹏伟..碲镉汞APD焦平面技术研究[J].红外与毫米波学报,2022,41(6):965-971,7.

基金项目

云南省科技人才与平台计划项目(202105AD160047) (202105AD160047)

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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