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分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究

杨瑛 邵秀梅 李雪 王红真 范柳燕 陈平平 刘博文 贺训军 顾溢 马英杰 李淘

红外与毫米波学报2022，Vol.41Issue(6)：987-994,8.
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红外与毫米波学报2022，Vol.41Issue(6)：987-994,8.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.06.007

分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究

Study on Molecular Beam Epitaxy of High indium InGaAs Films

杨瑛 1邵秀梅 2李雪 2王红真 2范柳燕 2陈平平 3刘博文 3贺训军 2顾溢 1马英杰 2李淘2

作者信息

  • 1. 哈尔滨理工大学电气与电子工程学院,黑龙江哈尔滨150080
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083
  • 3. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
  • 折叠

摘要

关键词

InGaAs/高铟组分/短波红外/分子束外延/迁移率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨瑛,邵秀梅,李雪,王红真,范柳燕,陈平平,刘博文,贺训军,顾溢,马英杰,李淘..分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究[J].红外与毫米波学报,2022,41(6):987-994,8.

基金项目

国家自然科学基金(62075229,62175250),上海市青年科技启明星(21QA1410600),上海市国际合作项目(20520711200),上海市学术带头人(21XD1404200) （62075229,62175250）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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