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基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计

陈艳 孟范忠 方园 张傲 高建军

红外与毫米波学报2022，Vol.41Issue(6)：1037-1041,5.
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红外与毫米波学报2022，Vol.41Issue(6)：1037-1041,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.06.013

基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计

Design of 220 GHz power amplifier based on 90 nm InP HEMT process

陈艳 1孟范忠 1方园 1张傲 2高建军2

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
  • 2. 华东师范大学物理与电子科学学院,上海200241
  • 折叠

摘要

关键词

铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)/功率放大器(PA)/太赫兹集成电路(TMIC)

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈艳,孟范忠,方园,张傲,高建军..基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计[J].红外与毫米波学报,2022,41(6):1037-1041,5.

基金项目

国家自然科学基金(62034003) （62034003）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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