人工晶体学报2022，Vol.51Issue(12)：2131-2136,6.
8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征
Fabrication and Characterizations of 8-Inch n Type 4H-SiC Single Crystal Substrate
摘要
关键词
8英寸SiC单晶衬底/物理气相传输法/X射线摇摆曲线/微管密度/翘曲度和弯曲度/位错密度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
娄艳芳,巩拓谌,张文,郭钰,彭同华,杨建,刘春俊..8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征[J].人工晶体学报,2022,51(12):2131-2136,6.基金项目
国家重点研发计划(2021YFB3601100) （2021YFB3601100）
