人工晶体学报2022，Vol.51Issue(12)：2137-2152,16.
PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展
Research Progress on the Growth of 4H-SiC Crystal by PVT Method and the Defect of Polytype Inclusions
王宇 1顾鹏 2付君 3王鹏刚 2雷沛 3袁丽2
作者信息
- 1. 北京大学地球与空间科学学院,北京 100871
- 2. 眉山博雅新材料股份有限公司,眉山 620000
- 3. 眉山天乐半导体材料有限公司,眉山 620000
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摘要
关键词
碳化硅晶体/物理气相传输/堆垛次序/多型夹杂/缺陷抑制/晶型鉴别分类
化学化工引用本文复制引用
王宇,顾鹏,付君,王鹏刚,雷沛,袁丽..PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展[J].人工晶体学报,2022,51(12):2137-2152,16.
