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基于响应面法的单晶硅CMP抛光工艺参数优化

卞达 宋恩敏 倪自丰 钱善华 赵永武

金刚石与磨料磨具工程2022，Vol.42Issue(6)：P.745-752,8.
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金刚石与磨料磨具工程2022，Vol.42Issue(6)：P.745-752,8.DOI:10.13394/j.cnki.jgszz.2022.0081

基于响应面法的单晶硅CMP抛光工艺参数优化

卞达 1宋恩敏 2倪自丰 1钱善华 1赵永武1

作者信息

  • 1. 江南大学机械工程学院,江苏无锡214122 江苏省先进食品制造装备技术重点实验室,江苏无锡214122
  • 2. 江南大学机械工程学院,江苏无锡214122
  • 折叠

摘要

关键词

化学机械抛光/硅/响应面法/材料去除率/表面粗糙度

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

卞达,宋恩敏,倪自丰,钱善华,赵永武..基于响应面法的单晶硅CMP抛光工艺参数优化[J].金刚石与磨料磨具工程,2022,42(6):P.745-752,8.

基金项目

国家自然科学基金(51675232) （51675232）

江苏省自然科学基金(BK20190611)。 （BK20190611）

金刚石与磨料磨具工程

OA北大核心CSTPCD

1006-852X

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