电子器件2022，Vol.45Issue(6)：1307-1311,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2022.06.006
基于0.25μm BCD工艺的一种新型低温漂欠压保护电路
A New Low Temperature Drift Under-Voltage Protection Circuit Based on 0.25 μm BCD Process
摘要
关键词
欠压保护/迟滞/阈值电压/高阶温度补偿/低温漂分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郭敏,王立新,谢红云,张洪凯,崔梦瑶,陈润泽,刘先程..基于0.25μm BCD工艺的一种新型低温漂欠压保护电路[J].电子器件,2022,45(6):1307-1311,5.基金项目
国家自然科学基金项目(61604106,61774012,61901010) （61604106,61774012,61901010）
北京市自然科学基金项目(4192014) （4192014）
