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基于阱式阶梯电子阻挡层的深紫外激光二极管性能研究

魏士钦王瑶王梦真王芳刘俊杰刘玉怀

量子电子学报2023，Vol.40Issue(1)：62-68,7.

量子电子学报2023，Vol.40Issue(1)：62-68,7.DOI:10.3969/j.issn.1007-5461.2023.01.007

Performance of deep ultraviolet laser diode based on well-type ladder electron barrier

魏士钦 ¹王瑶 ¹王梦真 ¹王芳 ¹刘俊杰 ¹刘玉怀¹

作者信息

激光技术/深紫外激光二极管/AlGaN/阱式阶梯电子阻挡层/电子泄露

数理科学

魏士钦,王瑶,王梦真,王芳,刘俊杰,刘玉怀..基于阱式阶梯电子阻挡层的深紫外激光二极管性能研究[J].量子电子学报,2023,40(1):62-68,7.

国家重点研发计划(2016YFE0118400),宁波市"科技创新2025"重大专项(2019B10129) （2016YFE0118400）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1007-5461

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