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SiC光学材料亚表面缺陷的光热辐射检测

刘远峰 李斌成 赵斌兴 刘红

物理学报2023,Vol.72Issue(2):124-132,9.
物理学报2023,Vol.72Issue(2):124-132,9.DOI:10.7498/aps.72.20221303

SiC光学材料亚表面缺陷的光热辐射检测

Detection of subsurface defects in silicon carbide bulk materials with photothermal radiometry

刘远峰 1李斌成 1赵斌兴 1刘红2

作者信息

  • 1. 电子科技大学光电科学与工程学院, 成都 610054
  • 2. 中国科学院光电技术研究所, 成都 610209
  • 折叠

摘要

关键词

SiC/亚表面缺陷/光热辐射技术

引用本文复制引用

刘远峰,李斌成,赵斌兴,刘红..SiC光学材料亚表面缺陷的光热辐射检测[J].物理学报,2023,72(2):124-132,9.

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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