物理学报2023，Vol.72Issue(2)：347-356,10.DOI:10.7498/aps.72.20221716
退火温度对氧化镓薄膜及紫外探测器性能的影响
Effects of annealing temperature on properties of gallium oxide thin films and ultraviolet detectors
摘要
关键词
氧化镓/射频磁控溅射/后退火温度/日盲探测器引用本文复制引用
落巨鑫,高红丽,邓金祥,任家辉,张庆,李瑞东,孟雪..退火温度对氧化镓薄膜及紫外探测器性能的影响[J].物理学报,2023,72(2):347-356,10.基金项目
北京市科技新星计划(批准号:Z211100002121079)和北京市自然科学基金(批准号:4192016,4102014)资助的课题. （批准号:Z211100002121079）
