| 注册
首页|期刊导航|西安电子科技大学学报(自然科学版)|一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计

一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计

郭斐 梁煜 张为 杨雪

西安电子科技大学学报(自然科学版)2022,Vol.49Issue(6):51-57,66,8.
西安电子科技大学学报(自然科学版)2022,Vol.49Issue(6):51-57,66,8.DOI:10.19665/j.issn1001-2400.2022.06.007

一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计

Design of a SiGe BiCMOS broadband low noise amplifier

郭斐 1梁煜 1张为 1杨雪1

作者信息

  • 1. 天津大学微电子学院,天津300072
  • 折叠

摘要

关键词

宽带低噪声放大器/SiGe BiCMOS/噪声/阻抗匹配

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郭斐,梁煜,张为,杨雪..一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计[J].西安电子科技大学学报(自然科学版),2022,49(6):51-57,66,8.

基金项目

国家基础加强重点项目基金(2019JCJQZD24603) (2019JCJQZD24603)

西安电子科技大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2400

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文