中国电机工程学报2023,Vol.43Issue(1):263-273,中插22,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.212625
高压非穿通P-i-N二极管等离子体抽取渡越振荡集总电路模型及封装抑制方法研究
Research on Lumped Circuit Model and Package Suppression Method of Plasma Extraction Transit Time Oscillation in High-voltage NPT P-i-N Diode
摘要
关键词
焊接式模块/非穿通P-i-N二极管/等离子抽取渡越时间振荡/集总电路模型/封装抑制方法分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
朱安康,包鑫康,陈宇,周宇,罗皓泽,李武华,何湘宁..高压非穿通P-i-N二极管等离子体抽取渡越振荡集总电路模型及封装抑制方法研究[J].中国电机工程学报,2023,43(1):263-273,中插22,12.基金项目
国家自然科学基金项目(U1834205,52107211) (U1834205,52107211)
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