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弹性压接型IGBT器件封装结构对芯片内部电场的影响研究

刘招成 崔翔 李学宝 刘相辰 李超 赵志斌 金锐 唐新灵 和峰

中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(1)：274-283,中插23,11.
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中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(1)：274-283,中插23,11.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.212441

弹性压接型IGBT器件封装结构对芯片内部电场的影响研究

Influence Analysis of Packaging on Electric Field of Chip in Elastic Press-pack IGBT Device

刘招成 1崔翔 1李学宝 1刘相辰 1李超 1赵志斌 1金锐 2唐新灵 2和峰2

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区 102206
  • 2. 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市昌平区 102209
  • 折叠

摘要

关键词

IGBT器件绝缘/弹性压接型IGBT/封装结构/边界条件/芯片终端

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘招成,崔翔,李学宝,刘相辰,李超,赵志斌,金锐,唐新灵,和峰..弹性压接型IGBT器件封装结构对芯片内部电场的影响研究[J].中国电机工程学报,2023,43(1):274-283,中插23,11.

基金项目

国家自然科学基金项目(52077073). （52077073）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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