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等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响

张晓波 郝广辉 张珂

真空电子技术Issue(6):P.82-87,103,7.
真空电子技术Issue(6):P.82-87,103,7.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2022.06.13

等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响

张晓波 1郝广辉 1张珂1

作者信息

  • 1. 北京真空电子技术研究所,北京100015
  • 折叠

摘要

关键词

覆膜阴极/等离子体净化/电子发射

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张晓波,郝广辉,张珂..等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响[J].真空电子技术,2022,(6):P.82-87,103,7.

真空电子技术

1002-8935

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