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真空电子技术
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等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响
等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响
张晓波
郝广辉
张珂
真空电子技术
Issue(6):P.82-87,103,7.
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真空电子技术
Issue(6)
:P.82-87,103,7.
DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2022.06.13
等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响
张晓波
1
郝广辉
1
张珂
1
作者信息
1.
北京真空电子技术研究所,北京100015
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摘要
关键词
覆膜阴极
/
等离子体净化
/
电子发射
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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张晓波,郝广辉,张珂..等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响[J].真空电子技术,2022,(6):P.82-87,103,7.
真空电子技术
ISSN:
1002-8935
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