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磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究

张玺 朱如忠 张序清 王明华 高煜 王蓉 杨德仁 皮孝东

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(1)：48-55,8.
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人工晶体学报2023，Vol.52Issue(1)：48-55,8.

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究

Influence of Abrasive Morphology and Dispersion Medium on Lapping Quality of 4 H-SiC Wafers

张玺 1朱如忠 2张序清 1王明华 2高煜 1王蓉 2杨德仁 3皮孝东4

作者信息

  • 1. 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院,浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州 311200
  • 2. 浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学院,杭州 310027
  • 3. 杭州乾晶半导体有限公司,杭州 311200
  • 4. 浙江机电职业技术学院,杭州 310053
  • 折叠

摘要

关键词

4H碳化硅/研磨/金刚石磨料/分散介质/材料去除速率/面型参数

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

张玺,朱如忠,张序清,王明华,高煜,王蓉,杨德仁,皮孝东..磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究[J].人工晶体学报,2023,52(1):48-55,8.

基金项目

浙江省"尖兵""领雁"研发攻关计划(2022C01021) （2022C01021）

国家重点研发计划(2018YFB2200101) （2018YFB2200101）

国家自然科学基金委员会重大研究计划培育项目(91964107) （91964107）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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