人工晶体学报2023，Vol.52Issue(1)：83-88,124,7.
AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响
Influence of AlGaN Double Barrier Structure on Crystal Quality and Luminescent Properties of InGaN/GaN MQWs Solar Cell Materials Containing High Indium Components
摘要
关键词
金属有机化合物化学气相沉积/太阳能电池外延材料/AlGaN双势垒结构/InGaN/GaN MQWs/位错密度/光生载流子分类
数理科学引用本文复制引用
单恒升,李明慧,李诚科,刘胜威,梅云俭,宋一凡,李小亚..AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响[J].人工晶体学报,2023,52(1):83-88,124,7.基金项目
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金,710071(kdxkf2020-02) （kdxkf2020-02）
国家自然科学基金(61901375) （61901375）
中国博士后科学基金(2019M663950XB) （2019M663950XB）
陕西省自然科学基础研究计划(2021JM-384) （2021JM-384）
