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In原子替位位置对新型正交GaN影响的第一性原理研究

单恒升 刘胜威 李小亚 梅云俭 徐超明 马淑芳 许并社

人工晶体学报2023,Vol.52Issue(1):89-97,9.
人工晶体学报2023,Vol.52Issue(1):89-97,9.

In原子替位位置对新型正交GaN影响的第一性原理研究

First-Principles Study on the Effect of In Atom Substitution Position on the Novel Orthorhombic GaN

单恒升 1刘胜威 2李小亚 1梅云俭 3徐超明 1马淑芳 1许并社1

作者信息

  • 1. 陕西科技大学材料原子·分子科学研究所,西安 710021
  • 2. 西安电子科技大学,宽禁带半导体材料教育部重点实验室,西安 710071
  • 3. 西北大学信息科学与技术学院,西安 710127
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摘要

关键词

正交GaN/In掺杂/形成能/电子结构/弹性和弹性各向异性/第一性原理/密度泛函理论/储氢材料

分类

数理科学

引用本文复制引用

单恒升,刘胜威,李小亚,梅云俭,徐超明,马淑芳,许并社..In原子替位位置对新型正交GaN影响的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2023,52(1):89-97,9.

基金项目

西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金,710071(kdxkf2020-02) (kdxkf2020-02)

中国博士后科学基金(2019M663950XB) (2019M663950XB)

国家自然科学基金(21972103,61904120,61604104,51672185) (21972103,61904120,61604104,51672185)

陕西省自然科学基础研究计划(2021JM-384) (2021JM-384)

陕西科技大学科研启动基金(2018BJ-36) (2018BJ-36)

山西浙大新材料与化工研究院研发项目(2021SX-AT001,2021SX-AT2002) (2021SX-AT001,2021SX-AT2002)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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