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氧分压调控氧化铜薄膜生长及其表面功函数研究

杨文宇 付红

人工晶体学报2023,Vol.52Issue(1):117-124,8.
人工晶体学报2023,Vol.52Issue(1):117-124,8.

氧分压调控氧化铜薄膜生长及其表面功函数研究

Growth and Surface Work Function of Copper Oxide Thin Films Controlled by Oxygen Partial Pressure

杨文宇 1付红1

作者信息

  • 1. 宁德师范学院数理学院,宁德 352100
  • 折叠

摘要

关键词

氧化铜/磁控溅射/带隙/氧分压/表面功函数/接触电位差

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

杨文宇,付红..氧分压调控氧化铜薄膜生长及其表面功函数研究[J].人工晶体学报,2023,52(1):117-124,8.

基金项目

福建省中青年教师教育科研项目(JAT200692) (JAT200692)

宁德市指导性科技计划(20190001) (20190001)

宁德师范学院乡村振兴专项(2020ZX501) (2020ZX501)

宁德师范学院引进人才科研项目(2018Y07) (2018Y07)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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