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集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

何金江 吕保国 贾倩 丁照崇 刘书芹 罗俊锋 王兴权

中国工程科学2023,Vol.25Issue(1):79-87,9.
中国工程科学2023,Vol.25Issue(1):79-87,9.DOI:10.15302/J-SSCAE-2023.01.003

集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

Development of High-purity Metal Sputtering Targets for Integrated Circuits

何金江 1吕保国 2贾倩 1丁照崇 2刘书芹 1罗俊锋 2王兴权1

作者信息

  • 1. 有研亿金新材料有限公司,北京 102200
  • 2. 集成电路关键材料国家工程研究中心,北京 100088
  • 折叠

摘要

关键词

高纯金属/溅射靶材/集成电路/薄膜/金属化

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

何金江,吕保国,贾倩,丁照崇,刘书芹,罗俊锋,王兴权..集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究[J].中国工程科学,2023,25(1):79-87,9.

基金项目

中国工程院咨询项目"我国先进有色金属材料发展战略研究"(2022-XZ-20) (2022-XZ-20)

中国工程科学

OA北大核心CSCDCSTPCD

1009-1742

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