表面技术2023，Vol.52Issue(2)：289-296,306,9.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2023.02.027
CH3SiCl3-H2前驱体化学气相沉积法制备SiC涂层
Preparation of SiC Coating from CH3SiCl3-H2 Precursor by Chemical Vapor Deposition
孙佳庆 1李江涛 2张东生 1赵红亮 1魏庆渤 2杨红霞1
作者信息
- 1. 巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司,河南 巩义 451200
- 2. 郑州大学 材料科学与工程学院,郑州 450001
- 折叠
摘要
关键词
CVD/SiC涂层/气相组分/沉积速率/组织形貌分类
矿业与冶金引用本文复制引用
孙佳庆,李江涛,张东生,赵红亮,魏庆渤,杨红霞..CH3SiCl3-H2前驱体化学气相沉积法制备SiC涂层[J].表面技术,2023,52(2):289-296,306,9.
