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基于70 nm InP HEMT工艺的230～250 GHz低噪声放大器设计

刘星 孟范忠 陈艳 张傲 高建军

红外与毫米波学报2023，Vol.42Issue(1)：37-42,6.
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红外与毫米波学报2023，Vol.42Issue(1)：37-42,6.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2023.01.006

基于70 nm InP HEMT工艺的230～250 GHz低噪声放大器设计

Design of 230～250 GHz low noise amplifier based on 70 nm InP HEMT process

刘星 1孟范忠 1陈艳 1张傲 2高建军3

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司 第十三研究所,河北 石家庄 050051
  • 2. 南通大学 交通与土木工程学院,江苏 南通 226019
  • 3. 华东师范大学 物理与电子科学学院,上海 200241
  • 折叠

摘要

关键词

铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)/低噪声放大器(LNA)/太赫兹集成电路(TMIC)

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘星,孟范忠,陈艳,张傲,高建军..基于70 nm InP HEMT工艺的230～250 GHz低噪声放大器设计[J].红外与毫米波学报,2023,42(1):37-42,6.

基金项目

国家自然科学基金项目(62201293,62034003) （62201293,62034003）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-9014

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