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底电极原位退火与沉积温度对PZT薄膜性能影响研究

王兴 邹赫麟

硅酸盐通报2023,Vol.42Issue(2):743-750,760,9.
硅酸盐通报2023,Vol.42Issue(2):743-750,760,9.

底电极原位退火与沉积温度对PZT薄膜性能影响研究

Influences of In-Situ Annealing and Deposition Temperature of Bottom Electrodes on Properties of PZT Films

王兴 1邹赫麟2

作者信息

  • 1. 太原学院机电与车辆工程系,太原 030032
  • 2. 大连理工大学,辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,大连 116024
  • 折叠

摘要

关键词

Pt/Ti底电极/压电薄膜/原位退火/择优取向/介电性能/抗疲劳特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王兴,邹赫麟..底电极原位退火与沉积温度对PZT薄膜性能影响研究[J].硅酸盐通报,2023,42(2):743-750,760,9.

基金项目

国家自然科学基金(51775088) (51775088)

山西省科技厅基础研究计划青年基金(202203021212017) (202203021212017)

硅酸盐通报

OA北大核心CSTPCD

1001-1625

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