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基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展

王本发 王守志 王国栋 俞娇仙 刘磊 李秋波 武玉珠 徐现刚 张雷

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(2)：183-195,13.
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人工晶体学报2023，Vol.52Issue(2)：183-195,13.

基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展

Research Progress on the Growth of GaN Single Crystal by Sodium Flux Method

王本发 1王守志 1王国栋 1俞娇仙 2刘磊 1李秋波 1武玉珠 1徐现刚 1张雷1

作者信息

  • 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,济南 250100
  • 2. 齐鲁工业大学(山东省科学院),材料科学与工程学院,济南 250353
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓单晶/钠助熔剂法/原料比/温度梯度/添加剂/籽晶

分类

数理科学

引用本文复制引用

王本发,王守志,王国栋,俞娇仙,刘磊,李秋波,武玉珠,徐现刚,张雷..基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展[J].人工晶体学报,2023,52(2):183-195,13.

基金项目

国家自然科学基金(52202265,51872164) （52202265,51872164）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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