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红外LED用GaAs单晶的垂直梯度凝固制备研究

路淑娟 陈蓓曦 张路 曹波 张云博 马志永 齐兴旺 于洪国

人工晶体学报2023,Vol.52Issue(2):235-243,9.
人工晶体学报2023,Vol.52Issue(2):235-243,9.

红外LED用GaAs单晶的垂直梯度凝固制备研究

Prepration of GaAs Single Crystal for Infrared LED by Vertical Gradient Freeze Technology

路淑娟 1陈蓓曦 2张路 1曹波 1张云博 1马志永 1齐兴旺 1于洪国1

作者信息

  • 1. 有研国晶辉新材料有限公司,廊坊 065001
  • 2. 西北工业大学伦敦玛丽女王大学工程学院,西安 710000
  • 折叠

摘要

关键词

砷化镓/垂直梯度凝固/位错密度/载流子/迁移率/热场/炉膛

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

路淑娟,陈蓓曦,张路,曹波,张云博,马志永,齐兴旺,于洪国..红外LED用GaAs单晶的垂直梯度凝固制备研究[J].人工晶体学报,2023,52(2):235-243,9.

基金项目

河北省科技计划(19011111Z) (19011111Z)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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