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高温扩散工艺制备带隙可调的β-(AlxGa1-x)2O3薄膜

谭黎 张俊 张敏 赵荣力 邓朝勇 崔瑞瑞

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(2)：281-288,8.
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人工晶体学报2023，Vol.52Issue(2)：281-288,8.

高温扩散工艺制备带隙可调的β-(AlxGa1-x)2O3薄膜

β-(AlxGa1-x)2O3 Thin Films with Tunable Band Gap Prepared by High Temperature Diffusion

谭黎 1张俊 2张敏 1赵荣力 1邓朝勇 3崔瑞瑞1

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵阳 550025
  • 2. 贵州商学院计算机与信息工程学院,贵阳 550014
  • 3. 贵阳学院电子与通信工程学院,贵阳 550005
  • 折叠

摘要

关键词

β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3/Al掺杂/半导体薄膜/高温扩散/可调带隙/磁控溅射

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谭黎,张俊,张敏,赵荣力,邓朝勇,崔瑞瑞..高温扩散工艺制备带隙可调的β-(AlxGa1-x)2O3薄膜[J].人工晶体学报,2023,52(2):281-288,8.

基金项目

贵州省科学技术基金(ZK[2021]一般328) （ZK[2021]一般328）

贵州省教育厅科技拔尖人才项目(黔教技[2022]085号) （黔教技[2022]085号）

贵州省教育厅滚动支持省属高校科研平台团队项目(黔教技[2022]036号) （黔教技[2022]036号）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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