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Co掺杂6H-SiC的第一性原理研究

吴磊 王嘉豪 刘淑平

原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(5):P.155-160,6.
原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(5):P.155-160,6.DOI:10.19855/j.1000-0364.2023.056005

Co掺杂6H-SiC的第一性原理研究

吴磊 1王嘉豪 1刘淑平2

作者信息

  • 1. 太原科技大学应用科学学院,太原030024
  • 2. 太原科技大学应用科学学院,太原030024 中国电子科技集团公司第二研究所宽禁带半导体材料制备山西省重点实验室,太原030024
  • 折叠

摘要

关键词

6H-SiC/带隙/电子结构/光学特性

分类

数理科学

引用本文复制引用

吴磊,王嘉豪,刘淑平..Co掺杂6H-SiC的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2023,40(5):P.155-160,6.

基金项目

宽禁带半导体材料山西省重点实验室开放基金(201712)。 (201712)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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