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直接带隙半导体In_(2)(PS_(3))_(3)单层结构与电子特性的第一性原理研究

周德让 王冰

原子与分子物理学报2023，Vol.40Issue(3)：P.173-180,8.
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原子与分子物理学报2023，Vol.40Issue(3)：P.173-180,8.DOI:10.19855/j.1000-0364.2023.036007

直接带隙半导体In_(2)(PS_(3))_(3)单层结构与电子特性的第一性原理研究

周德让 1王冰2

作者信息

  • 1. 鹤壁职业技术学院电子信息工程学院,鹤壁市458030 河南大学物理与电子学院,开封市475000
  • 2. 河南大学物理与电子学院,开封市475000
  • 折叠

摘要

关键词

直接带隙半导体/第一性原理/剥离能/稳定性

分类

数理科学

引用本文复制引用

周德让,王冰..直接带隙半导体In_(2)(PS_(3))_(3)单层结构与电子特性的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2023,40(3):P.173-180,8.

基金项目

国家自然科学基金(12047517) （12047517）

河南省自然科学基金(202300410069)。 （202300410069）

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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