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提高单层GeSe对H_(2)O气体传感性能的第一性原理研究

庄芹芹 杨伟煌

原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(4):P.73-78,6.
原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(4):P.73-78,6.DOI:10.19855/j.1000-0364.2023.042002

提高单层GeSe对H_(2)O气体传感性能的第一性原理研究

庄芹芹 1杨伟煌2

作者信息

  • 1. 厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室,厦门361024
  • 2. 杭州电子科技大学电子信息学院智能微传感器与微系统教育部工程研究中心,杭州310018
  • 折叠

摘要

关键词

单层GeSe/第一性原理计算/气体传感/应变/外加电场/掺Ag

分类

数理科学

引用本文复制引用

庄芹芹,杨伟煌..提高单层GeSe对H_(2)O气体传感性能的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2023,40(4):P.73-78,6.

基金项目

国家自然科学基金(61874091) (61874091)

浙江省自然科学基金(LGG19F040003) (LGG19F040003)

福建省中青年教师教育科研项目(JAT190671)。 (JAT190671)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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