原子与分子物理学报2023，Vol.40Issue(6)：P.111-116,6.DOI:10.19855/j.1000-0364.2023.063002
50~250keV质子入射SiC和Si靶时的电子发射特性研究
摘要
关键词
质子/电子发射产额/功函数/电子能损分类
数理科学引用本文复制引用
曾利霞,周贤明,梅策香,李耀宗,柳钰,张小安..50~250keV质子入射SiC和Si靶时的电子发射特性研究[J].原子与分子物理学报,2023,40(6):P.111-116,6.基金项目
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