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利用山形空穴存储层结构对深紫外激光二极管的性能优化

桑習恩 许愿 尹孟爽 王芳 刘俊杰 刘玉怀

原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(6):P.117-122,6.
原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(6):P.117-122,6.DOI:10.19855/j.1000-0364.2023.064001

利用山形空穴存储层结构对深紫外激光二极管的性能优化

桑習恩 1许愿 1尹孟爽 1王芳 2刘俊杰 3刘玉怀2

作者信息

  • 1. 郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心河南省电子材料与系统国际联合实验室,郑州450001
  • 2. 郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心河南省电子材料与系统国际联合实验室,郑州450001 郑州大学传感器研究院,郑州450001 郑州唯独电子科技有限公司,郑州450001 郑州大学产业技术研究院有限公司,郑州450001
  • 3. 郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心河南省电子材料与系统国际联合实验室,郑州450001 郑州大学传感器研究院,郑州450001 郑州大学产业技术研究院有限公司,郑州450001
  • 折叠

摘要

关键词

深紫外激光二极管/空穴存储层/空穴注入效率/电子泄露

分类

数理科学

引用本文复制引用

桑習恩,许愿,尹孟爽,王芳,刘俊杰,刘玉怀..利用山形空穴存储层结构对深紫外激光二极管的性能优化[J].原子与分子物理学报,2023,40(6):P.117-122,6.

基金项目

国家自然科学基金(62174148) (62174148)

国家重点研发计划(2022YFE0112000,2016YFE0118400) (2022YFE0112000,2016YFE0118400)

智汇郑州1125聚才计划(ZZ2018-45) (ZZ2018-45)

宁波2025科技创新重大专项(2019B10129)。 (2019B10129)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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