原子与分子物理学报2023，Vol.40Issue(3)：P.89-95,7.DOI:10.19855/j.1000-0364.2023.032004
氢、氟原子边缘修饰β-GeSe纳米带的第一性原理研究
摘要
关键词
低维材料/一维纳米带/边缘修饰/电子结构/密度泛函理论分类
数理科学引用本文复制引用
程明志,代雪娇,张川川,陆树伟,段海明..氢、氟原子边缘修饰β-GeSe纳米带的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2023,40(3):P.89-95,7.基金项目
新疆维吾尔自治区自然科学基金(2019D01C038)。 （2019D01C038）
