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图形衬底对多周期InGaAs量子点自组装生长的影响

张丹懿 江玉琪 黄泽琛 蒋冲 赵梦秦 王一 郭祥 丁召

原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(1):P.67-72,6.
原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(1):P.67-72,6.DOI:10.19855/j.1000-0364.2023.012001

图形衬底对多周期InGaAs量子点自组装生长的影响

张丹懿 1江玉琪 1黄泽琛 1蒋冲 1赵梦秦 1王一 1郭祥 1丁召1

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025 贵州大学微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025
  • 折叠

摘要

关键词

湿法刻蚀/多周期量子点生长/台阶结构/S-K模式/图形衬底

分类

数理科学

引用本文复制引用

张丹懿,江玉琪,黄泽琛,蒋冲,赵梦秦,王一,郭祥,丁召..图形衬底对多周期InGaAs量子点自组装生长的影响[J].原子与分子物理学报,2023,40(1):P.67-72,6.

基金项目

国家自然科学基金(61564002,11664005) (61564002,11664005)

贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271) (黔科合基础[2020]1Y271)

贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号) (贵大培育[2019]58号)

半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07))。 (ERCME-KFJJ2019-(07)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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