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利用倒双阶渐变阶梯形电子阻挡层减少深紫外激光二极管的电子泄露

张鹏飞 钟瑞 王瑶 贾李亚 王芳 刘玉怀

原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(1):P.106-112,7.
原子与分子物理学报2023,Vol.40Issue(1):P.106-112,7.DOI:10.19855/j.1000-0364.2023.014002

利用倒双阶渐变阶梯形电子阻挡层减少深紫外激光二极管的电子泄露

张鹏飞 1钟瑞 2王瑶 1贾李亚 1王芳 1刘玉怀3

作者信息

  • 1. 郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,郑州450001
  • 2. 郑州轻工业大学计算机与通信工程学院,郑州450001
  • 3. 郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,郑州450001 郑州唯独电子科技有限公司,郑州450001 郑州大学产业技术研究院有限公司,郑州450001
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摘要

关键词

AlGaN/深紫外激光二极管/电子阻挡层/电子泄露

分类

数理科学

引用本文复制引用

张鹏飞,钟瑞,王瑶,贾李亚,王芳,刘玉怀..利用倒双阶渐变阶梯形电子阻挡层减少深紫外激光二极管的电子泄露[J].原子与分子物理学报,2023,40(1):P.106-112,7.

基金项目

国家重点研发计划重点专项(2016YFE0118400) (2016YFE0118400)

郑州市1125科技创新项目(ZZ2018-45) (ZZ2018-45)

2019年度宁波市“科技创新2025”重大专项(2019B10129). (2019B10129)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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