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单层Nb2SiTe4基化合物的带隙异常变化

王晓菲孟威威赵培丽贾双凤郑赫王建波

物理学报2023，Vol.72Issue(5)：297-305,9.

物理学报2023，Vol.72Issue(5)：297-305,9.DOI:10.7498/aps.72.20222058

单层Nb2SiTe4基化合物的带隙异常变化

Band gap anomaly in single-layer Nb2SiTe4-based compounds

王晓菲 ¹孟威威 ¹赵培丽 ¹贾双凤 ¹郑赫 ¹王建波²

作者信息

1. 武汉大学物理科学与技术学院,电子显微镜中心,人工微结构教育部重点实验室,高等研究院,武汉 430072
2. 武汉大学苏州研究院,苏州 215123
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摘要

关键词

Nb2SiTe4/带隙异常/电子结构/第一性原理计算

引用本文复制引用

王晓菲,孟威威,赵培丽,贾双凤,郑赫,王建波..单层Nb2SiTe4基化合物的带隙异常变化[J].物理学报,2023,72(5):297-305,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:52071237,12074290,51871169,52101021,12104345)、江苏省自然科学基金(批准号:BK20191187)、湖北省青年拔尖人才计划、深圳市科创委基础研究面上项目(批准号:JCYJ20190808150407522)和中国博士后科学基金(批准号:2019M652685)资助的课题. （批准号:52071237,12074290,51871169,52101021,12104345）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

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