含能材料2023，Vol.31Issue(3)：222-228,7.DOI:10.11943/CJEM2022278
集成PN结防护结构的薄膜换能芯片
Thin Film Transducer Chip with an Integrated PN Junction Protective Structure
李慧 1骆建军 2任炜 1冯春阳 2褚恩义 1陈建华 2李蛟2
作者信息
- 1. 杭州电子科技大学微电子研究院, 浙江 杭州 3100181
- 2. 陕西应用物理化学研究所 应用物理化学国家级重点实验室, 陕西 西安 710061
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摘要
关键词
微机电系统/PN结/薄膜换能元/抗静电/发火分类
军事科技引用本文复制引用
李慧,骆建军,任炜,冯春阳,褚恩义,陈建华,李蛟..集成PN结防护结构的薄膜换能芯片[J].含能材料,2023,31(3):222-228,7.
