电子科技大学学报2023，Vol.52Issue(2)：209-213,5.DOI:10.12178/1001-0548.2021208
基于GaN-FET大功率、超低功耗移相器设计
Design of GaN-FET Phase Shifter with High Power Handling Capability and Ultra-Low DC Power Consumption
来晋明 1马晓华 2王海龙 3王超杰 1李志友2
作者信息
- 1. 西安电子科技大学微电子学院 西安 710071
- 2. 中国电子科技集团公司第 29 研究所 成都 610036
- 3. 四川省宽带微波电路高密度集成工程研究中心 成都 610036
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摘要
关键词
FET/GaN/SAR成像/支节加载移相器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
来晋明,马晓华,王海龙,王超杰,李志友..基于GaN-FET大功率、超低功耗移相器设计[J].电子科技大学学报,2023,52(2):209-213,5.
