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金属屏蔽设置对极端电子辐射下滑环绝缘构件深层充电影响因素分析

王健 刘人郢 肖若凡 刘继奎 黄旭炜 李庆民

高电压技术2023，Vol.49Issue(2)：505-514,10.
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高电压技术2023，Vol.49Issue(2)：505-514,10.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20220155

金属屏蔽设置对极端电子辐射下滑环绝缘构件深层充电影响因素分析

Analysis of Metal Shield Setting Influence Factors on Deep Dielectric Charging of Slip Ring Insulating Components Under Extreme Electron Radiation

王健 1刘人郢 1肖若凡 1刘继奎 2黄旭炜 3李庆民1

作者信息

  • 1. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京102206
  • 2. 北京控制工程研究所,北京100089
  • 3. 重庆邮电大学自动化学院,重庆400065
  • 折叠

摘要

关键词

滑环绝缘构件/极端电子辐射/屏蔽外壳/深层充电/韧致辐射

引用本文复制引用

王健,刘人郢,肖若凡,刘继奎,黄旭炜,李庆民..金属屏蔽设置对极端电子辐射下滑环绝缘构件深层充电影响因素分析[J].高电压技术,2023,49(2):505-514,10.

基金项目

国家自然科学基金(52177140). （52177140）

高电压技术

OACSTPCD

1003-6520

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